PMV30UN,215 دیتاشیت

PMV30UN

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PMV30UN
حجم فایل 346.196 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت PMV30UN-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2A, 4.5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 20V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
  • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Part Number: PMV3
  • detail: N-Channel 20V 5.7A (Tc) 1.9W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)

محصولات مشابه